Dia 50.8×0.1/0.17/0.2/0.25/0.3mmt Substratum lamellae sapphirinae Epi-paratum DSP SSP
Infra descriptio crustulae sapphirinae duarum unciarum, commoda naturae, usus generalis et index parametrorum crustulae normalis de crustulis sapphirinis duarum unciarum invenitur:
Descriptio Producti: Lamellae sapphirinae duarum unciarum fiunt secando materiam crystalli singularis sapphirinam in formam lamellae siliconis cum superficie levi et plana. Materia est valde stabilis et durabilis, late in opticis, electronicis et photonicis adhibita.
Proprietatum Commoda
Alta duritia: Sapphirus gradum duritiae Mohs 9 habet, secundum tantum adamantibus, quod praeclaram resistentiam scalpturae et detritionis praebet.
Altum punctum liquefactionis: Sapphirus punctum liquefactionis circiter 2040°C habet, quod ei permittit ut in ambitus altae temperaturae cum optima stabilitate thermali operetur.
Stabilitas chemica: Sapphirus stabilitatem chemicam excellentem habet et acidis, alcalibus et gasibus corrosivis resistit, ita ut aptus sit ad usus in variis condicionibus asperis.
Usus Generalis
Usus optici: crustae sapphirinae in systematibus lasericis, fenestris opticis, lentibus, instrumentis opticis infrarubris, et pluribus adhiberi possunt. Propter suam excellentem perspicuitatem, sapphirus late in agro optico adhibetur.
Usus electronici: Lamellae sapphirinae in fabricatione diodorum, diodorum LED, diodorum laseriorum, aliorumque instrumentorum electronicorum adhiberi possunt. Sapphirus egregias conductivitatem thermalem et proprietates insulationis electricae habet, aptas instrumentis electronicis magnae potentiae.
Usus optoelectronici: Lamellae sapphirinae ad fabricandos sensores imaginum, photodetectores, et alia instrumenta optoelectronica adhiberi possunt. Proprietates sapphirinae, quae iacturam humilem et responsum magnum habent, eam ad usus optoelectronicos aptam reddunt.
Specificationes parametrorum lamellarum ordinariarum:
Diameter: 2 unciae (circiter 50.8 mm)
Crassitudo: Crassitudo communis est 0.5 mm, 1.0 mm, et 2.0 mm. Aliae crassitudines ad petitionem aptari possunt.
Asperitas superficiei: Generaliter Ra < 0.5 nm.
Politura utrinque: planities typice < 10 µm est.
Lamellae sapphirinae monocrystallinae utrinque politae: lamellae utrinque politae et cum altiore parallelismi gradu ad usus qui maiores requisita requirunt.
Nota bene parametros specificos producti variari posse secundum requisita fabricatoris et applicationem.
Diagramma Detaliatum
