Superficies processus methodi de Titanio-sapphiro sapphiro cristallo virgae laseris

Titanium gemma crystallis Ti:Al2O3 (retrahitur doping 0,35 wt%Ti2O3), blank cristallina cuius sunt secundum processum processus diagramma superficiei processus processus lapidis titanii lapidis crystallini huius inventionis in fig.1. Gradus specifici praeparationis superficiei processus methodi titanii lapidis laserentis virgae crystallini praesentis inventionis sunt hae:

<1> Directio secans: titanium gemmae crystalli primum convertitur, deinde in columnam tetragonam blank inciditur, relinquendo salarium processus circiter 0,4 ad 0,6 mm secundum magnitudinem baculi laseris completae.

<2>Columna aspera et tenuis stridor: Columpna blank molitur in sectione transversali tetragonali vel cylindrico cum 120~ 180# carbida pii vel boron carbida abrasiva in machinis aspero stridoris, cum lychni et extra rotundi erroris. ±0.01mm.

<3> Finis processus faciei: lapis titanium laser bar duo extremitatis faciei processus successive cum W40, W20, W10 boron carbide stridor extremitatis faciei in disco ferro.In processu stridore attentio habenda est ut perpendicularitas finis faciei metiatur.

<4> Expolitio chemica-mechanica: expolitio chemica-mechanica est processus crystallis poliendi in caudex poliendi cum guttis solutionis chemicae pre-formatae etching.Artificium polire ac polire ad motum relativum et frictionem, dum in investigatione slurry continens chemicum etching agens (liquidum polire dicitur) ope expolitionis complere.

<5> Acidum etching: Virgulae lapideae titanium post politionem ut supra descriptum sunt in mixturam H2SO4:H3PO4 = 3:1 (v/v), ad temperiem 100-400°C, et acidum signatum pro 5 -30 minuta.Propositum est processum polire in superficie laser e vecte per damnum sub-superficiali mechanica productum tollere et varietatem tinguere, ita ut planities atomi planae, cancelli integritas superficiei mundae obtineat. .

<6> AEQUOR TRACTATUS: Ut superficies extollit et fricat ex processu antecedente genitam ad ulteriora tollendam et complanatam superficiem obtinendum in gradu atomico, titanium calculum lapideum post acidum etching tunc aqua deionisa per 5 minuta lota est; et virga lapidis titanii in ambitu anni 1360±20° C. ad constantem temperaturam 1 ad 3 horas in atmosphaera hydrogenii posita, et calori superficiei curationi subiecta est.