Machina Poliendi Fasciculum Ionum pro Sapphiro SiC Si

Machina Poliendi Fasciculo Ionico pro Sapphiro SiC Si Imago Praecipua

Descriptio Brevis:

Machina figurandi et poliendi fasciculo ionico in principio fundatur...ionum cathodicumIntra cameram vacui alti, fons ionum plasmam generat, quod in fasciculum ionum altae energiae acceleratur. Hic fasciculus superficiem componentium opticarum bombardat, materiam ad magnitudinem atomorum removens ut correctio et politura superficialis ultra-precisa efficiatur.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Proprietates

Diagramma Detaliatum

Conspectus Producti Machinae Poliendae Fasciculi Ionici

Machina ad Figurandum et Poliendum Fasciculo Ionico principio ionico pulverisationis nititur. Intra cameram vacui alti, fons ionicus plasmam generat, quod in fasciculum ionico altae energiae acceleratur. Hic fasciculus superficiem componenti optici bombardat, materiam ad magnitudinem atomorum removens ut correctionem et polituram superficiei ultra-precisam efficiat.

Politura fasciculi ionici, ut processus sine contactu, tensionem mechanicam eliminat et damnum subterraneum vitat, ita ut sit aptissima ad fabricanda instrumenta opticia altae praecisionis in astronomia, industria aëronautica, semiconductoribus, et applicationibus investigationis provectis adhibita.

Principium Operandi Machinae Poliendi Fasciculi Ionici

Generatio Ionum
Gas iners (e.g., argon) in cameram vacuum introducitur et per emissionem electricam ionizatur ad plasmam formandum.

Acceleratio et Formatio Fasciculi
Iones ad aliquot centena vel milia electronvolta (eV) accelerantur et in maculam fasciculi stabilem et focalizatam formantur.

Amotio Materiae
Fasciculus ionicus atomos e superficie physice spargit sine reactionibus chemicis initiandis.

Detectio Errorum et Planificatio Itineris
Deviationes figurae superficialis interferometria metiuntur. Functiones remotionis adhibentur ad tempora morae determinanda et vias instrumentorum optimizatas generandas.

Correctio Circuli Clausi
Cycli iterativi processus et mensurae pergunt donec proposita praecisionis RMS/PV assequuntur.

Proprietates Claves Machinae Poliendi Fasciculi Ionici

Compatibilitas Superficialis UniversalisSuperficies planas, sphaericas, asphaericas, et formae liberae tractat

Ratio Amovendi Ultra-Stabilis– Correctionem figurae subnanometrae permittit

Processus Sine Damno– Nulla vitia subterranea aut mutationes structurales

Constans Efficacia– Aeque bene operatur in materiis variae duritiae

Correctio Frequentiae Humilis/Mediae– Errores eliminat sine artefactis mediae/altae frequentiae generandis

Parva Sustentatio Requisita– Operatio diuturna continua cum minimo tempore inactivo

Specificationes Technicae Principales Machinae Poliendi Fasciculo Ionico

Res	Specificatio
Methodus Processus	Sputtering ionica in ambiente alto vacuo
Typus Processus	Figuratio et politura superficiei sine contactu
Magnitudo Maxima Operis	Φ4000 mm
Axes Motus	Triaxis / Quinque axis
Stabilitas Amovendae	≥95%
Accuratio Superficialis	PV < 10 nm; RMS ≤ 0.5 nm (RMS typicum < 1 nm; PV < 15 nm)
Facultas Correctionis Frequentiae	Errores frequentiae humilis vel mediae removet sine erroribus frequentiae mediae vel altae inducendis.
Operatio Continua	Tres ad quinque septimanas sine curatione vacui
Sumptus Sustentationis	Humilis

Facultates Processus Machinae Politurae Fasciculi Ionici

Genera Superficierum Sustentata

Simplex: Planus, sphaericus, prisma

Complexus: Asphaera symmetrica/asymmetrica, asphaera extra axem, cylindricus

Specialia: Optica tenuissima, optica lamellaris, optica hemisphaerica, optica conformalis, laminae phasium, superficies formae liberae

Materiae Sustentatae

Vitrum opticum: Quartzum, microcrystallinum, K9, etc.

Materiae infrarubrae: silicium, germanium, etc.

Metalla: Aluminium, chalybs inoxidabilis, mixtura titanii, etc.

Crystalla: YAG, carburum silicii monocrystallinum, etc.

Materiae durae/fragiles: carburum silicii, etc.

Qualitas Superficiei / Praecisio

PV < 10 nm

RMS ≤ 0.5 nm

Studia Casuum Processus Machinae Poliendi Fasciculo Ionico

Casus 1 – Speculum Planum Ordinarium

Pars Operis: Plana Quartz D630 mm

Resultatum: PV 46.4 nm; RMS 4.63 nm

Casus II – Speculum Reflexivum Radiographicum

Pars operata: 150 × 30 mm plana siliconis

Resultatum: PV 8.3 nm; RMS 0.379 nm; Inclinatio 0.13 µrad

Casus 3 – Speculum Extra Axem

Pars Operis: Speculum Trituratum Extra Axem D326 mm

Resultatum: PV 35.9 nm; RMS 3.9 nm

Quaestiones Frequentes de Specillis Quartzīs

Quaestiones Frequentes – Machina Poliendi Fasciculo Ionico

Q1: Quid est politura fasciculi ionici?
A1:Politura fasciculi ionici est processus sine contactu qui fasciculo ionum focalizato (velut ionibus argonii) utitur ad materiam a superficie operis removendam. Iones accelerantur et versus superficiem diriguntur, materiam ad gradum atomicum removendo, unde superficies ultra-laevigatae efficiuntur. Hic processus tensionem mechanicam et damnum subterraneum eliminat, eum aptissimum reddens ad componentes opticos accuratiores.

Q2: Quas superficies machina poliendi fasciculo ionico tractare potest?
A2:TheMachina Poliendi Fasciculi Ionicivarias superficies tractare potest, inter quas simplices partes opticae, utplana, sphaerae, et prismata, necnon geometriae complexae sicutasphaerae, asphaerae extra axem, etsuperficies formae liberaePraesertim efficax est in materiis ut vitro optico, optica infrarubra, metallis, et materiis duris/fragilibus.

Q3: Quibus materiis machina poliendi fasciculi ionici operari potest?
A3:TheMachina Poliendi Fasciculi Ioniciamplam materiarum varietatem polire potest, inter quas:

Vitrum opticumQuartzum, microcrystallinum, K9, etc.
Materiae infrarubraeSilicium, germanium, etc.
MetallaAluminium, chalybs inoxidabilis, mixtura titanii, etc.
Materiae crystallinaeYAG, carburum silicii monocrystallinum, etc.
Aliae materiae durae/fragilesCarburum silicii, etc.

De Nobis

XKH in evolutione, productione, et venditione vitri optici specialis et novarum materiarum crystallinarum excellit. Nostra producta electronicis opticis, electronicis domesticis, et militaribus serviunt. Offerimus partes opticas sapphirinas, tegumenta lentium telephonorum mobilium, ceramicas, LT, SIC carburi silicii, quarzum, et crustula crystallina semiconductoria. Cum peritia perita et apparatu modernissimo, excellimus in processu productorum non consuetorum, propensi ad esse societatem technologiae provectiorem in materiis optoelectronicis.