Producta
-
Substratum lamellae sapphirinae octo unciarum, 200 mm, 1 SP 2 SP 0.5 mm 0.75 mm
-
Lamella substrati sapphirini Al2O3 99.999% altae puritatis, 4 pollices, Dia 101.6 × 0.65 mmt, cum longitudine plana primaria.
-
Lamella substrati semi-SiC 4H 3 pollices 76.2 mm, lamellae SiC semi-insultantes e carburo silicii.
-
Crustulae SiC 2 pollices 50.8 mm e carburo silicii, Silicium dopatum, typi N, ad investigationem productionis et ad gradum fictum.
-
Lamella Sapphirina 2 pollices 50.8mm Planum C Planum M Planum R Planum A
-
Fenestrae sapphirinae Dia50.8x1mmt altae praecisionis, resistentia altae temperaturae et alta duritia.
-
Fenestrae sapphirinae Dia50.8x1mmt altae praecisionis, resistentia altae temperaturae et alta duritia.
-
Tubi sapphirini EFG CZ KY, virgae Al2O3, crystalli singularis sapphirini 99.999%.
-
Tubus sapphiri praecisionis, virgae crystallinae singularis Al2O3 99.999%, ad crucibulum receptaculi altae temperaturae.
-
GaN-in-Sapphiro sex pollices
-
Arca portatoria crustulae singularis 2 pollicum 50.8 mm e PC et PP
-
Lamella Lithium Niobate 8 pollicum Lamella LiNbO3 LN