Silicon laganum 4inch 6inch 8inch 12inch

Praecipuus processus unctae siliconis laganae oxidizandi plerumque includit sequentes gradus: monocrystallinum incrementum pii, lagana incisio, politio, purgatio et oxidatio.

Augmentum siliconis monocrystallini: Primum, silicon monocrystallinum in calidis temperaturis per methodos crevit sicut in methodo Czochralski vel in modum fluitantis-zonae.Haec methodus efficit ut Pii singulas cristallas cum puritate et cancelli integritate praeparatio.

Dicing: In creverat monocrystallina Pii plerumque in cylindrica figura et in lagana tenuia scidenda adhibenda est ut laganum subiectum.Secans fieri solet cum dromonem adamantem.

Politio: Superficies lagani incisae sit inaequabilis et requirit politionem chemica-mechanicam ad superficiem lenis obtinendam.

Purgatio: laganum politum ad purgandum sordes et pulverem.

Oxidizing: Denique lagana siliconis in fornacem temperatam oxydizandi curationem adhibendam sunt ut lavacrum tutelae dioxidis Pii ad operandum suas proprietates electricas et vires mechanicas, itemque ut lavacrum insulativum in circuitibus integralibus servent.

Praecipui usus laganae oxidized laganae pii includunt fabricam circuitus integrati, fabricam cellularum solarium et alia machinarum electronicarum fabricatio.Silicon lagana lagana late in campo materiae semiconductoris adhibentur propter praestantes proprietates mechanicas, dimensiones et chemicas stabilitatem, facultatem operandi in calidis et magnis pressuris, necnon bonae proprietates insulantes et opticas.

Commoda eius integram structuram cristallinam, compositionem chemicam puram, dimensiones accuratas, proprietates mechanicas bonas comprehendunt, etc. Hae lineamenta lagana oxydatum pii lagana aptissima maxime apta sunt ad fabricandum magnorum perficiendi circuitus integros et alias machinas microelectronicas.