Lamella epitaxialis Gallii nitridi, 100mm 4unciae GaN in lamella sapphirina epi-stratosa.
Processus accretionis structurae putei quantici caerulei LED GaN. Ordo processus accuratus est ut sequitur.
(1) Coquendo alta temperatura, substratum sapphirinum primum ad 1050℃ in atmosphaera hydrogenii calefacitur, propositum est superficiem substrati purgare;
(2) Cum temperatura substrati ad 510℃ decrescit, stratum GaN/AlN temperaturae humilis, crassitudine 30nm, in superficie substrati sapphirini deponitur;
(3) Temperatura ad 10°C elevata, gas reactionis ammonia, trimethylgallium et silanum iniiciuntur, fluxus correspondens respective moderantur, et GaN typi N siliciis imbuta crassitudinis 4µm crescit;
(4) Gas reactionis aluminii trimethylici et gallii trimethylici adhibitus est ad continentes A⒑ typi N silicio imbuti crassitudine 0.15 µm praeparandos;
(5) InGaN 50nm Zn-imbutum praeparatum est iniectis trimethylgallio, trimethylindio, diethylzinco et ammonia ad temperaturam 800℃ et variis fluxus velocitatibus respective moderatis;
(6) Temperatura ad 1020℃ aucta, trimethylaluminium, trimethylgallium et bis(cyclopentadienyl)magnesium iniecta sunt ad 0.15µm Mg AlGaN typi P dopatum et 0.5µm Mg glucosum sanguinis typi P G dopatum parandum;
(7) Pellicula Sibuyan GaN typi P altae qualitatis per recoctionem in atmosphaera nitrogenii ad 700℃ obtenta est;
(8) Incisionem superficiei stasis G typi P ad superficiem stasis G typi N revelandam;
(9) Evaporatio laminarum contactuum Ni/Au in superficie p-GaNI, evaporatio laminarum contactuum △/Al in superficie ll-GaN ad electroda formanda.
Specificationes
| Res | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| Dimensiones | e 100 mm ± 0.1 mm | |
| Crassitudo | 4.5±0.5 µm Adaptari potest | |
| Orientatio | Planum C(0001) ±0.5° | |
| Typus Conductionis | Typus N (Sine Dopatione) | Typus N (Si-dopatus) |
| Resistivitas (300K) | < 0.5 Q・cm | < 0.05 Q・cm |
| Concentratio Vectoris | < 5x1017centimetrum-3 | > 1x1018centimetrum-3 |
| Mobilitas | ~300 centimetra2/Contra | ~200 cm2/Contra |
| Densitas Luxationis | Minus quam 5x108centimetrum-2(calculatum per FWHMs XRD) | |
| Structura substrati | GaN in Sapphiro (Norma: SSP Optio: DSP) | |
| Area Superficialis Utilis | > 90% | |
| Sarcina | In ambitu cubiculi puri classis 100, in cassettis 25 partium vel vasculis singularum lamellarum, sub atmosphaera nitrogenii conditum. | |
Diagramma Detaliatum
