100mm 4inch GaN laganum Sapphiri epi- laganum Gallium nitridum epitaxiale laganum

(1) Caliditas caliditas coquens, sapphirus substratus primum calefit ad 1050℃ in atmosphaera hydrogenii, propositum est superficiem subiectam mundare;

(2) Cum temperaturae substratae guttae ad 510℃, humili temperatura GaN/AlN quiddam iacuit cum crassitudine 30nm in superficie sapphiri distent;

(3) Temperature ad 10 ortum, reactionem gas ammoniaci, trimethylgallii et silani injiciuntur, respective rate fluxum respondentem moderari, et silicon-doped N-typus GaN 4um crassitudinis creverit;

(4) Gas trimethyl aluminii et trimethyl galli reactionem adhibitum est ad continentes cum crassitudine 0,15um N-typo-silicon-doped praeparandas;

(5) 50nm Zn-doped InGaN praeparatum est trimethylgallium, trimethylindium, diethylzincum et ammoniacum temperatura 8O0℃ et diversae rates regentes respective;

(6) Temperatura aucta ad 1020℃, trimethylaluminum, trimethylgallium et magnesium bis (cyclopentadienyl) injectae sunt ad parandum 0.15um Mg doped P-type AlGaN et 0.5um Mg doped P-type G glucosi sanguinis;

(7) Qualitas P-typus GaN Sibuyan cinematographicum nactus est per furnum in atmosphaera nitrogenii ad 700℃;

(8) Etching super P-type G stasidis superficiei ad superficiem N-typum G stasin revelandum;

(9) Evaporatio laminarum Ni/Au contactuum in superficie p-GaNI, evaporatio /Al contactuum laminarum in superficie ll-GaN ad electrodes formandas.