200mm 8inch gaN in sapphiro epi- lagano substrato
Product introduction
The 8-inch GaN-on-Sapphire substratum est materia semiconductoris summus qualitas composita a Gallium Nitride (GaN) strato adulto sapphiri substrato.Haec materia excellentissimas electronicarum rerum onerarias proprietates praebet et specimen est ad fabricandas machinas summus potentiae et summus frequentiae semiconductoris.
Vestibulum Method
Processus fabricationis implicat epitaxialem incrementi GaN iacuit in sapphiro subiecto utendi technicis provectis, ut depositionis vaporis chemici metalli-organici (MOCVD) vel epitaxiae trabes hypotheticae (MBE).Depositio sub conditionibus moderatis exercetur, ut alta crystalli qualitas et cinematographica uniformitas.
Applications
The 8-inch GaN-on-Sapphirus substrato amplas applicationes invenit in variis campis inclusis proin communicationibus, radarsystematis, technicis wireless, et optoelectronics.Quaedam applicationes communes comprehendunt:
1. RF potentia amplifiers
2. DUXERIT industriam accendendi
3. Wireless network communicationis cogitationes
4. Electronic cogitationes ad summus temperatus ambitibus
5. Optoelectronic cogitationes
Product Specifications
-Dimensio: Substrata magnitudo 8 digitorum (200 mm) diametro est.
— Superficies Quality: Superficies in eminentia levitatis polita est et excellentem speculam qualitatem exhibet.
- Crassitudo: Crassitudo GaN iacuit nativus secundum specifica requisita potest esse.
- Packaging: Subiectum diligenter fasciculatum est in materiarum anti-staticarum ne damnum in transitu.
- Orientatio Flat: Subiectum habet certam intentionem plana ad auxilium laganum noctis et tractans in fabrica fabricationprocessibus.
- Alii parametri: Specialia crassitudinis, resistivity, et intentionis dopantis formari possunt sicut per mos requisita.
Cum suis superioribus materialibus proprietatibus et applicationibus versatile, substratum est 8-inch GaN-on-Sapphirus certa electio ad progressionem magni operis semiconductoris machinarum in variis industriis.
Praeter GaN-On-Sapphirum, nos etiam in campo virtutis machinae applicationes offerre possumus, familia producta includit 8-inch AlgaN/GaN-on-Si lagana epitaxialis et 8-inch P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaxial. uncta.Eodem tempore innovavimus applicationem technologiae provectus 8-inch GaN epitaxy technologiae in proin campo, et elaboravimus 8-inch AlGaN/GAN-on-HR Si epitaxy laganum quod componit cum magna magnitudine, parvo pretio. et compatible cum vexillum VIII-inch processui fabrica.Praeter gallium nitridum silicon-substructum, habemus etiam productam lineam AlGaN/GaN-on-SiC lagana epitaxialis obviam clientibus necessaria pro gallio nitride epitaxiali materiae silicon-substructae.
Detailed Diagram
