50.8mm 2inch GaN in sapphiro laganum Epi-

50.8mm 2inch GaN in sapphiro epi- laganum laganum Featured Image

Description:

Ut tertia generatio semiconductor materialis, gallium nitride commoda habet resistentiae caliditatis caliditatis, altae convenientiae, altae conductivity scelerisque et statio cohortis latae.Secundum varias materias subiectas, gallium nitridum epitaxiale schedae in quattuor genera dividi possunt: gallium nitridum nitridum, gallium nitride, carbida pii nitri subnixa, gallium nitridum, sapphirus gallium nitridum nitritum, et silicon gallium nitride nitentem.Silicon-substructio gallium nitridum epitaxiale scheda late adhibenda est productio cum parvo pretio productionis et technologiae maturae.

Mitte ad nos inscriptio

Product Detail

Product Tags

Applicatio galli nitridis schedae epitaxialis gaN

Ex gallium nitride exercendo, gallium nitride epitaxiale astulae maxime idoneae sunt ad altam virtutem, altam frequentiam, et applicationes humilium intentionum.

Repetitur:

1) High bandgap: High bandgap amplio intentione campestri gallium machinis nitride et altiorem potentiam quam machinis gallium arsenidis emittere potest, quae maxime apta est ad 5G communicationis basium stationes, terunt militares et alios agros;

2) Maximum conversionem efficientiam: in-resistentia gallium nitridum mutandi potentiae electronice machinis est 3 ordines magnitudinis inferioris quam machinarum Pii, quae signanter minuere potest detrimentum in-victum;

3) Princeps scelerisque conductivity: princeps scelerisque conductivity gallium nitridum facit optimum calorem habere dissipationis operationis, ad productionem altae potentiae, altae temperaturae et aliorum agrorum machinis;

4) Naufragii campi electrici virium: Quamvis naufragii electrici roboris gallium nitride prope ad nitridem siliconis sit, ob processum semiconductorem, materias cancellos mismatch et alia factorum, voltatio tolerantiae galli nitride machinis fere 1000V et fere. tutus usus intentione plerumque infra 650V.

Item	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensiones	e 50.8mm ± 0.1mm
Crassitudo	4.5±0.5 um		4.5±0.5um
propensio	C-planum(0001) ± 0.5°
Conductio Type	N-genus (Undoped)	N-type (Si-doped)	P-type (Mg-doped)
Resistentia (3O0K)	< 0.5 Q・cm	< 0.05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Carrier Concentration	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilitas	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~ 10 cm²/Vs
Luxatio densitas	Minus quam 5x10⁸cm^-2(Per FWHMs de XRD)
Substratum compages	GaN on Sapphirus (Standard: SSP Option: DSP)
Utilis Superficies	> 90%
sarcina	Packaged in genere 100 ambitus cubiculi mundis, in reta 25pcs vel vasis lagani unius, sub atmosphaera nitrogenis.