GaN 200mm 8unciarum in substrato sapphirino Epi-laminato.
Introductio producti
Substratum GaN-in-Sapphire octo unciarum est materia semiconductoria altae qualitatis composita ex strato Gallii Nitridi (GaN) in substrato Sapphiro creto. Haec materia praeclaras proprietates translationis electronicae praebet et aptissima est ad fabricationem instrumentorum semiconductoriorum altae potentiae et altae frequentiae.
Methodus Fabricationis
Processus fabricationis incrementum epitaxiale strati GaN in substrato Sapphirino complectitur, utens technis provectis, velut depositione vaporis chemici metallo-organici (MOCVD) vel epitaxia fasciculi molecularis (MBE). Depositio sub condicionibus moderatis perficitur ut alta qualitas crystalli et uniformitas pelliculae confirmentur.
Applicationes
Substratum GaN-in-Sapphire octo unciarum latum applicationes invenit in variis campis, inter quas communicationes micro-undarum, systemata radarica, technologia sine filo, et optoelectronica. Inter applicationes communes sunt hae:
1. Amplificatores potentiae RF
2. Industria illuminationis LED
3. Instrumenta communicationis retiaria sine filo
4. Instrumenta electronica ad temperaturas altas apta
5. Oinstrumenta ptoelectronica
Specificationes Producti
-Dimensiones: Substrati est 8 pollices (200 mm) in diametro.
- Qualitas Superficiei: Superficies ad magnum gradum laevitatis polita est et praeclaram qualitatem speculi exhibet.
- Crassitudo: Crassitudo strati GaN secundum requisita specifica aptari potest.
- Involucrum: Substratum diligenter materiis antistaticis involucrum est ne damnum in itinere patiatur.
- Planum Orientationis: Substratum planum orientationis specificum habet ad adiuvandum in ordinatione et tractatione laminarum per processus fabricationis instrumentorum.
- Alii parametri: Specifica crassitudinis, resistivitatis, et concentrationis dopantis secundum requisita emptoris aptari possunt.
Propter suas proprietates materiales praestantes et usus versatiles, substratum GaN-in-Sapphire octo unciarum est electio certa ad progressionem machinarum semiconductorum altae efficaciae in variis industriis.
Praeter GaN-On-Sapphire, etiam in agro applicationum machinarum potentiae offerre possumus. Familia productorum includit laminas epitaxiales AlGaN/GaN-on-Si 8-unciarum et laminas epitaxiales AlGaN/GaN-on-Si P-cap 8-unciarum. Simul, applicationem propriae technologiae epitaxialis GaN 8-unciarum in agro micro-undarum innovavimus, et laminam epitaxialem AlGaN/GAN-on-HR Si 8-unciarum elaboravimus, quae magnam efficaciam cum magnitudine magna, pretio humili, et compatibilitate cum processu machinarum 8-unciarum coniungit. Praeter gallium nitridum silicii fundatum, etiam lineam productorum laminarum epitaxialium AlGaN/GaN-on-SiC habemus, ut necessitatibus clientium pro materiis epitaxialibus gallium nitridi silicii fundatis satisfaciamus.
Diagramma Detaliatum
